基本解釋
半導體三極管的一個電極。用來把載流子發射到基極去。參看〖三極管〗。
詞語來源
該詞語來源于人們的生產生活。
詞語造句
1、我們所研究的晶體管都是把電流饋入發射極。
2、目前共發射極接法用途最多，應用最廣。
3、在最佳工作條件下，給出了集電極電流和集電極-發射極電壓波形。
4、電路的基本結構采用兩級放大結構，以共發射極結構作為輸入級，以達林頓結構作為輸出級。
5、導出多晶硅發射極晶體管電流增益的表達式，很好地解釋了實驗結果。
6、報道了鈍化發射極、背面定域擴散高效率硅太陽電池的研制結果。
7、長期以來，解決微波功率晶體管的電流集中問題的通用做法是使用發射極鎮流電阻，以及PTC，CTR熱敏電阻等無源器件。
8、第五步：調末級功率管的靜態電流，該電流值可以經由過程測功率管的發射極電阻的電壓換算而得到。
9、在深入地分析其優點的同時論證了選擇性發射極結構是提高太陽電池光電轉換效率的有效途徑。
10、截止頻率是影響共發射極、共基極和共集電極電路頻率特性的重要因素。
11、發射極關斷（ETO）晶閘管是一種新型MOS可控晶閘管。由于它改善了開關性能，容易控制，因此適用于大功率變流器。
12、高靈敏度，低集電極暗電流，高集電極發射極電壓型光電耦合器。
13、該有限長的量子結構分與兩半無限長的量子通道相連，當施加一偏壓時，量子通道分別可作為電子的發射極和收集極。
14、本文含有兩方面的研究內容：選擇性發射極太陽電池的研究和光伏工程最佳傾角的設計研究。
15、基極中空穴的密度小于發射極和集電極中自由電子的密度。
16、本文提出了一種三指發射極HBT的設計。
17、指出了選擇性發射極太陽電池結構的特征。
18、結果表明該電阻與光敏區面積、發射區邊長、發射區位置、發射極電流等因素有關。
19、并對發射極正反接電壓不同而出現的不同調制現象進行了分析。
20、在晶體管制作過程中采用了發射極-基極金屬自對準、空氣橋以及減薄等工藝改善其功率特性。
21、基極總是比發射極和集電極薄得多。
22、液晶顯示器制造工藝中的降低反射層、透明電極、發射極與陰極等均由濺射方法形成。
23、選擇性發射極技術在電極接觸區域進行高濃度摻雜，而在光吸收區域進行低濃度摻雜，能較好地克服上述問題。
24、介紹了一種新的亞微米發射極窗口刻蝕工藝。
25、選擇R6的阻值時要確保在負載電流的最高允許值的條件下，Q2的基極-發射極電壓大約低于0.5V。
26、由于Q2的基極-發射極的電壓為0V而截止，因此沒有負載電流流過R6。
27、當ILOAD超過最大允許值時發生過載情況，R6上的電壓增大導致基極-發射極電壓足夠大到導通Q2。
28、依靠Q2的基極-發射極電壓，過流檢測機制的精度低于過壓功能。
29、圖2-1（a）給出了共發射極取向白勺晶體管白勺物理特性，同時也給出了硅器件白勺電壓極性和大小。
30、本文研制的光子符合儀利用了高速ECL（發射極耦合邏輯）電路捕獲、采集由單光子探測器轉換輸出的電子窄脈沖，并做符合測量后送往高速緩沖器。
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